特許
J-GLOBAL ID：200903036384971024
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-009433
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214626
出願日： 1998年01月21日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 酸化物誘電体部の機能が損われにくい半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 下部電極27に到達する貫通穴28aを、絶縁膜28に形成し、つぎに、たとえばゾル・ゲル法を用いて強誘電体層30を形成する。つぎに、たとえばCMP法を用いて、強誘電体層30のうち貫通穴28aの内部以外の部分を除去することにより、強誘電体部31を形成する。貫通穴28aの内部に強誘電体物質を充填することにより強誘電体部31を形成することで、貫通穴28aの内部形状に沿った形状の強誘電体部31を得ることができる。このため、エッチングによる切断を行なうことなく、強誘電体部31を所望の形状に形成することができる。すなわち、強誘電体部(酸化物誘電体部)31に対するエッチングに伴う格子欠陥や還元反応を避けることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に第1の層を形成し、第1の層の上に絶縁体層を形成し、絶縁体層に、第1の層に到達する貫通穴を形成し、当該貫通穴の内部に酸化物誘電体物質を充填することにより酸化物誘電体部を形成し、酸化物誘電体部の上に第2の層を形成すること、を特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
