特許
J-GLOBAL ID:200903036388150882

ジアリール誘導体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-126368
公開番号(公開出願番号):特開2006-151946
出願日: 2005年04月25日
公開日(公表日): 2006年06月15日
要約:
【課題】 ジアリール誘導体を低コストかつ短時間で製造する。【解決手段】 一般式(1) Ar1-Ar2 ・・・・・・・・・(1)(ここで、Ar1、Ar2は、1個以上の置換基を有しても良いフェニル基、縮合環基又は複素環基を表し、Ar1とAr2とは同じでもよいし、異なっていてもよい。)で示されるジアリール誘導体の製造方法であって、水系溶媒中で、塩基とパラジウム触媒との存在下、一般式(2) Ar1-B(OR3)2 ・・・・・(2)(ここで、Ar1は前記と同じものを表す。R3は、水素原子、アルキル基、環状アルキル基又はアリール基を表す。)で示されるホウ素誘導体と、一般式(3) X-Ar2 ・・・・・・・・・(3)(ここで、Xは沃素、臭素、R4-SO3-を表し、R4はアルキル基、フッ化アルキル基又はアリール基を表す。Ar2は前記と同じものを表す。)で示されるアリール誘導体とを反応させることを特徴とする。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
一般式(1) Ar1-Ar2 ・・・・・・・・・(1) (ここで、Ar1、Ar2は、1個以上の置換基を有しても良いフェニル基、縮合環基又は複素環基を表し、Ar1とAr2とは同じでもよいし、異なっていてもよい。) で示されるジアリール誘導体の製造方法であって、水系溶媒中で、塩基とパラジウム触媒との存在下、一般式(2) Ar1-B(OR3)2 ・・・・・(2) (ここで、Ar1は前記と同じものを表す。R3は、水素原子、アルキル基、環状アルキル基又はアリール基を表す。) で示されるホウ素誘導体と、一般式(3) X-Ar2 ・・・・・・・・・(3) (ここで、Xは沃素、臭素、R4-SO3-を表し、R4はアルキル基、フッ化アルキル基又はアリール基を表す。Ar2は前記と同じものを表す。) で示されるアリール誘導体とを反応させることを特徴とするジアリール誘導体の製造方法。
IPC (11件):
C07C 51/363 ,  C07C 2/02 ,  C07C 15/14 ,  C07C 29/58 ,  C07C 33/26 ,  C07C 45/63 ,  C07C 49/784 ,  C07C 63/36 ,  C07D 213/14 ,  C07D 213/16 ,  C07D 333/08
FI (11件):
C07C51/363 ,  C07C2/02 ,  C07C15/14 ,  C07C29/58 ,  C07C33/26 ,  C07C45/63 ,  C07C49/784 ,  C07C63/36 ,  C07D213/14 ,  C07D213/16 ,  C07D333/08
Fターム (24件):
4C055AA01 ,  4C055BA01 ,  4C055CA02 ,  4C055CA05 ,  4C055CA08 ,  4C055DA01 ,  4C055FA01 ,  4C055FA31 ,  4C055FA37 ,  4H006AA02 ,  4H006AC24 ,  4H006BA02 ,  4H006BA25 ,  4H006BA29 ,  4H006BA32 ,  4H006BA35 ,  4H006BA69 ,  4H006BB31 ,  4H006BC34 ,  4H006BJ50 ,  4H006BS30 ,  4H006FC52 ,  4H039CD20 ,  4H039CG20
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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引用文献:
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