特許
J-GLOBAL ID:200903036388150882
ジアリール誘導体の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-126368
公開番号(公開出願番号):特開2006-151946
出願日: 2005年04月25日
公開日(公表日): 2006年06月15日
要約:
【課題】 ジアリール誘導体を低コストかつ短時間で製造する。【解決手段】 一般式(1) Ar1-Ar2 ・・・・・・・・・(1)(ここで、Ar1、Ar2は、1個以上の置換基を有しても良いフェニル基、縮合環基又は複素環基を表し、Ar1とAr2とは同じでもよいし、異なっていてもよい。)で示されるジアリール誘導体の製造方法であって、水系溶媒中で、塩基とパラジウム触媒との存在下、一般式(2) Ar1-B(OR3)2 ・・・・・(2)(ここで、Ar1は前記と同じものを表す。R3は、水素原子、アルキル基、環状アルキル基又はアリール基を表す。)で示されるホウ素誘導体と、一般式(3) X-Ar2 ・・・・・・・・・(3)(ここで、Xは沃素、臭素、R4-SO3-を表し、R4はアルキル基、フッ化アルキル基又はアリール基を表す。Ar2は前記と同じものを表す。)で示されるアリール誘導体とを反応させることを特徴とする。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
一般式(1)
Ar1-Ar2 ・・・・・・・・・(1)
(ここで、Ar1、Ar2は、1個以上の置換基を有しても良いフェニル基、縮合環基又は複素環基を表し、Ar1とAr2とは同じでもよいし、異なっていてもよい。)
で示されるジアリール誘導体の製造方法であって、水系溶媒中で、塩基とパラジウム触媒との存在下、一般式(2)
Ar1-B(OR3)2 ・・・・・(2)
(ここで、Ar1は前記と同じものを表す。R3は、水素原子、アルキル基、環状アルキル基又はアリール基を表す。)
で示されるホウ素誘導体と、一般式(3)
X-Ar2 ・・・・・・・・・(3)
(ここで、Xは沃素、臭素、R4-SO3-を表し、R4はアルキル基、フッ化アルキル基又はアリール基を表す。Ar2は前記と同じものを表す。)
で示されるアリール誘導体とを反応させることを特徴とするジアリール誘導体の製造方法。
IPC (11件):
C07C 51/363
, C07C 2/02
, C07C 15/14
, C07C 29/58
, C07C 33/26
, C07C 45/63
, C07C 49/784
, C07C 63/36
, C07D 213/14
, C07D 213/16
, C07D 333/08
FI (11件):
C07C51/363
, C07C2/02
, C07C15/14
, C07C29/58
, C07C33/26
, C07C45/63
, C07C49/784
, C07C63/36
, C07D213/14
, C07D213/16
, C07D333/08
Fターム (24件):
4C055AA01
, 4C055BA01
, 4C055CA02
, 4C055CA05
, 4C055CA08
, 4C055DA01
, 4C055FA01
, 4C055FA31
, 4C055FA37
, 4H006AA02
, 4H006AC24
, 4H006BA02
, 4H006BA25
, 4H006BA29
, 4H006BA32
, 4H006BA35
, 4H006BA69
, 4H006BB31
, 4H006BC34
, 4H006BJ50
, 4H006BS30
, 4H006FC52
, 4H039CD20
, 4H039CG20
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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引用文献:
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