特許
J-GLOBAL ID：200903036398687531

磁気ランダムアクセスメモリ

発明者：
岩田 佳久

岩田 佳久 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-183104
公開番号（公開出願番号）：特開2005-018916
出願日： 2003年06月26日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】トンネル絶縁膜の厚さによらず、最適なレファレンス電圧を得る。【解決手段】メモリセルMC及びレファレンスセルRCは、MTJ素子から構成される。レファレンスセルRCは、メモリセルMCのデータを判断する基準を作る。レファレンスセルRCに対しては、それぞれ、独立に、データの書き込み/読み出しが可能である。レファレンスセルRCは、第1及び第2状態をとることができ、第1状態のレファレンスセルの数と第2状態のレファレンスセルの数は、異なっていてもよい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果素子から構成されるメモリセルと、前記メモリセルのデータを判断する基準を作るための複数のレファレンスセルとを具備し、前記複数のレファレンスセルに対しては、それぞれ、独立に、データの書き込み/読み出しが可能であることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (3件)：
G11C11/15 ,  G01R31/28 ,  G11C29/00
FI (8件)：
G11C11/15 150 ,  G11C11/15 140 ,  G11C11/15 190 ,  G11C11/15 195 ,  G11C29/00 603X ,  G11C29/00 675B ,  G01R31/28 V ,  G01R31/28 B
Fターム (10件)：
2G132AA08 ,  2G132AB01 ,  2G132AC03 ,  2G132AG09 ,  2G132AK07 ,  5L106AA05 ,  5L106CC05 ,  5L106DD12 ,  5L106GG05 ,  5L106GG07
引用特許：
審査官引用 (3件)

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