特許
J-GLOBAL ID：200903020839937403

半導体装置

発明者：
半澤 悟

半澤 悟 について

, 
阪田 健

阪田 健 について

, 
松岡 秀行

松岡 秀行 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-341365
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222589
出願日： 2001年11月07日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗の変化を利用して情報を記憶するメモリセルの読み出し動作に用いる参照信号発生方法、およびダミーセルを提供する。【解決手段】 複数のワード線WR0〜WR7と複数の第1データ線D0〜D7の交点に設けられ、”1”又は”0”の何れかを記憶するための複数の第1メモリセルMCと、複数のワード線WR0〜WR7と第1ダミーデータ線DD0の交点に設けられ、”1”を記憶するための複数の第1ダミーセルMCHと、前記複数のワード線WR0〜WR7と第2ダミーデータ線DD1の交点に設けられ、”0”を記憶するための複数の第2ダミーセルMCLとを具備する【効果】 従来と比べて、高集積かつ信頼度の高い大容量MRAMを実現することができる。
請求項（抜粋）：
複数のワード線と複数の第1データ線の交点に設けられ、第1情報又は第2情報の何れかを記憶するための複数の第1メモリセルと、前記複数のワード線と第1ダミーデータ線の交点に設けられ、前記第1情報を記憶するための複数の第1ダミーセルと、前記複数のワード線と第2ダミーデータ線の交点に設けられ、前記第2情報を記憶するための複数の第2ダミーセルとを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  G11C 29/00 603
FI (4件)：
G11C 11/14 Z ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  G11C 29/00 603 H
Fターム (7件)：
5L106AA09 ,  5L106CC04 ,  5L106CC13 ,  5L106CC17 ,  5L106CC21 ,  5L106CC32 ,  5L106GG05
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (10件)
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