特許
J-GLOBAL ID：200903036465291630
半導体ウェーハの洗浄装置、及び半導体ウェーハの洗浄方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
吉武 賢次
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-092129
公開番号（公開出願番号）：特開2009-246190
出願日： 2008年03月31日
公開日（公表日）： 2009年10月22日
要約：
【課題】半導体ウェーハの表面に付着するパーティクルがより微細なものの場合であっても、それらを効果的に除去することができる半導体ウェーハの洗浄装置、及び半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。【解決手段】半導体ウェーハの洗浄装置は、第1の気体を半導体ウェーハの表面に噴射して、前記半導体ウェーハの前記表面に存在するスタグナントレイヤーの厚さを薄くする気体ノズルを備えた気体噴射機構と、液体と第2の気体の2流体を混合させた液滴ミストを、前記半導体ウェーハの前記スタグナントレイヤーの厚さが薄くなった領域に噴射する2流体ノズルを備えた2流体噴射装置と、を備える。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1の気体を半導体ウェーハの表面に噴射して、前記半導体ウェーハの前記表面に存在するスタグナントレイヤーの厚さを薄くする気体ノズルを備えた気体噴射装置と、
液体と第2の気体の2流体を混合させた液滴ミストを、前記半導体ウェーハの前記スタグナントレイヤーの厚さが薄くなった領域に噴射する2流体ノズルを備えた2流体噴射装置と、
を備える事を特徴とする半導体ウェーハの洗浄装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/304 643A
, H01L21/304 645A
5F157AA73
, 5F157AB02
, 5F157AB33
, 5F157AB90
, 5F157AC01
, 5F157BB13
, 5F157BB37
, 5F157BG12
, 5F157BG13
, 5F157BG85
, 5F157CE08
, 5F157CE25
, 5F157DB02
, 5F157DC90
