特許
J-GLOBAL ID:200903036465310634

酸化マグネシウム膜の作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田宮 寛祉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-302602
公開番号(公開出願番号):特開2000-129428
出願日: 1998年10月23日
公開日(公表日): 2000年05月09日
要約:
【要約】【課題】 蒸着による酸化マグネシウム膜の作製で、真空容器への酸素ガスの導入量が相対的に少量であっても膜質の良好な例えば〈111〉配向性の酸化マグネシウム膜を作製し、クライオポンプを量産用作製装置に搭載すること、作製装置の連続稼働時間を延ばすことを可能にする。【解決手段】 真空チャンバ21内で容器31内の酸化マグネシウム材料30に電子ビーム32を照射して蒸発させ、この蒸発材料を上方に置かれた基板14の表面に蒸着させて酸化マグネシウム膜を形成する方法において、真空チャンバ21内に酸素ガスとアルゴンガスを導入し、酸素ガスとアルゴンガスが混合された雰囲気中で反応性蒸着に基づき特定の配向性を持った酸化マグネシウム膜を形成する。これによって酸素ガスの導入量を低減しても、良質な〈111〉配向性の酸化マグネシウム膜を作ることが可能となる。
請求項(抜粋):
真空容器内で、材料容器に入れられた酸化マグネシウム材料に電子ビームを照射して前記酸化マグネシウム材料を蒸発させ、この蒸発材料を上方に置かれた基板の表面に蒸着させて当該表面に酸化マグネシウム膜を形成する酸化マグネシウム膜の作製方法であり、前記真空容器内に酸素ガスとアルゴンガスを導入し、前記酸素ガスと前記アルゴンガスが混合された雰囲気中で反応性蒸着に基づき特定の配向性を持った前記酸化マグネシウム膜を形成することを特徴とする酸化マグネシウム膜の作製方法。
IPC (5件):
C23C 14/08 ,  C01F 5/02 ,  C30B 29/16 ,  H01J 9/02 ,  H01J 11/02
FI (5件):
C23C 14/08 J ,  C01F 5/02 ,  C30B 29/16 ,  H01J 9/02 F ,  H01J 11/02 B
Fターム (37件):
4G076AA02 ,  4G076AB02 ,  4G076BA03 ,  4G076BC01 ,  4G076BD10 ,  4G076BE20 ,  4G076BH01 ,  4G076CA10 ,  4G076CA32 ,  4G076DA14 ,  4G077AA03 ,  4G077AB03 ,  4G077BB02 ,  4G077DA04 ,  4G077EA07 ,  4G077GA03 ,  4G077HA05 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  4G077TC03 ,  4K029BA43 ,  4K029BB07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA02 ,  4K029DB05 ,  4K029DB21 ,  4K029EA04 ,  4K029EA05 ,  5C027AA07 ,  5C040FA01 ,  5C040GE09 ,  5C040JA07 ,  5C040JA31 ,  5C040KB08 ,  5C040KB19 ,  5C040LA17 ,  5C040MA26
引用特許:
審査官引用 (2件)

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