特許
J-GLOBAL ID：200903036509289492

膜形成用組成物、膜形成用組成物の形成方法およびシリカ系膜

発明者：
林 英治

林 英治 について

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長谷川 公一

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徐 榮秀

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出願人/特許権者：
ジェイエスアール株式会社

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公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068977
公開番号（公開出願番号）：特開2001-254051
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月18日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁材料として、誘電特性や機械的強度に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。【解決手段】 (A)下記一般式(1)、(2)、(3)、で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を、アルカリ化合物の存在下で加水分解して得られる縮合物ならびに(B)プロトン系有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。RaSi(OR1)4-a (1)Si(OR2)4 (2)R3b(R4O)3-bSi-(R7)-Si(OR5)3-cR6c (3)(式中Rは水素原子、フッ素原子または一価の有機基、R1〜R6は一価の有機基、R7は酸素原子、フェニレン基、-(CH2)n-で表される基、aは1〜2の整数、b,cは0〜2の数、dは0または1、nは1〜6の整数を示す。)
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を、アルカリ性化合物の存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物ならびにRa Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c・・・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕ならびに(B)プロトン系有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (5件)：
C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  C23C 18/12 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (5件)：
C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  C23C 18/12 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G
Fターム (42件)：
4J038DL031 ,  4J038DL041 ,  4J038DL051 ,  4J038DL071 ,  4J038DL101 ,  4J038DL151 ,  4J038DL161 ,  4J038GA01 ,  4J038GA03 ,  4J038GA07 ,  4J038GA09 ,  4J038GA12 ,  4J038JA19 ,  4J038JA20 ,  4J038JA25 ,  4J038JB13 ,  4J038JC32 ,  4J038KA03 ,  4J038LA03 ,  4J038LA05 ,  4J038MA06 ,  4J038MA09 ,  4J038NA11 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  4K022AA02 ,  4K022AA43 ,  4K022BA15 ,  4K022BA20 ,  4K022BA33 ,  4K022DA06 ,  4K022DB01 ,  4K022EA01 ,  5F058AA10 ,  5F058AB05 ,  5F058AB07 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02
引用特許：
審査官引用 (2件)

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