特許

J-GLOBAL ID：200903036510620070

p型II-VI族化合物半導体結晶、その成長方法及びそれを用いた半導体装置

発明者： 佐野 道宏 ,  八百 隆文
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社 ,  八百 隆文
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-142059
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332296
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 p型のII-VI族化合物半導体結晶の成長方法を提供する。【解決手段】 ZnO基板100上に、所望濃度までは不純物ドーピングされていないZnO層101a〜101zと、p型不純物であるNが所望濃度以上にドーピングされたZnTe層103a〜103yとを交互に複数層積層する工程を含む。

請求項（抜粋）：

基板上に、所望濃度までは不純物ドーピングされていないZnO層と、p型不純物であるNが所望濃度以上にドーピングされたZnTe層とを交互に複数層積層する工程を含むp型II-VI族化合物半導体結晶の成長方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/363

FI (3件)：

H01L 33/00 D ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/363

Fターム (25件)：

4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077BE35 ,  4G077DA05 ,  4G077EB01 ,  4G077EB03 ,  4G077ED06 ,  4G077EF04 ,  4G077HA06 ,  5F041AA31 ,  5F041CA05 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103LL16 ,  5F103NN03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-036363   出願人：株式会社東芝
• ヘテロ超格子pn接合
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-272606   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-036363   出願人：株式会社東芝
• ヘテロ超格子pn接合
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-272606   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション