特許

J-GLOBAL ID：200903036528002560

シリコン結晶の液相成長方法及びそれを用いた太陽電池の製造方法

発明者： 中川 克己 ,  西田 彰志 ,  岩根 正晃 ,  浮世 典孝
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-328186
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162859
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 液相成長方法によって、結晶性が良好でドーパント濃度がよく制御された薄膜結晶シリコンを成長する方法を提供し、もって高性能で低コストな太陽電池や、高コントラストで色むらの無い画像表示装置の量産に寄与すること。【解決手段】 カーボンのボートや石英の坩堝(301)の内部で、溶融したインジウムに、ホウ素、又はアルミニウム、又はリン、又は砒素を所定濃度含むシリコンの固体(310)を溶かしてメルト(302)を調整し、このメルトを過飽和として、メルトに浸漬した基板に、ドーパント元素を含む結晶シリコンを成長させる。

請求項（抜粋）：

ドーパントを所定濃度含むシリコンの固体を、液体のインジウムに溶解して調整したメルトを使用することを特徴とするシリコン結晶の成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/208 ,  C30B 29/06 501 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/208 D ,  C30B 29/06 501 B ,  H01L 31/04 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコン薄板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-347767   出願人：東燃株式会社
• 薄膜半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-061551   出願人：ソニー株式会社