特許

J-GLOBAL ID：200903036556963258

プラズマCVD装置

発明者： 鈴木 直樹 ,  三宅 清郎 ,  筒井 裕二 ,  新井 康司 ,  澤田 和幸
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-244843
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092706
出願日： 1995年09月22日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【目的】 電極交換時に基板台を容易に交換ができるようにし、作業性の向上と低コスト化を図る。【構成】 真空排気口2と反応ガス導入管5を有する反応室1と、反応室1内で基板10を載置する基板台9と、基板台9を加熱するヒータブロック11と、基板台9に対して対向位置に配置され高周波電力が供給される高周波電極3とを備えたプラズマCVD装置において、ヒータブロック11と基板台9の接触部分のどちから一方あるいは両方の接触面をブラスト処理により粗面17とし、あるいは絶縁膜18を形成し、又は基板台9とヒータブロック11の間に異種金属板19を介装することにより、焼き付きを防止し、基板台9をヒータブロック11から容易に取り外せるようにした。

請求項（抜粋）：

真空排気口と反応ガス導入口を有する反応室と、反応室内で基板を載置する基板台と、基板台を加熱するヒータブロックと、基板台に対して対向位置に配置され高周波電力が供給される電極とを備えたプラズマCVD装置において、基板台とヒータブロックが接触する部分のどちらか一方あるいは両方の接触面がブラスト処理により粗面化されていることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4件)：

H01L 21/68 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/68 N ,  C23C 16/44 H ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-048541   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 基板保持装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-343706   出願人：日新電機株式会社
• 特開昭62-104661