特許

J-GLOBAL ID：200903036560314949

カーボンナノチューブの成長方法およびカーボンナノチューブ構造体の製造方法

発明者： 本間 芳和 ,  高木 大輔
出願人/特許権者： 学校法人東京理科大学
代理人 (1件)： 大井 正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-039553
公開番号（公開出願番号）：特開2007-284336
出願日： 2007年02月20日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】 基板上に種々の触媒物質を用いて形成した触媒微粒子を用いて高品質のカーボンナノチューブを成長させることができるカーボンナノチューブの成長方法およびカーボンナノチューブ構造体の製造方法の提供。【解決手段】 カーボンナノチューブの成長方法は、酸化性雰囲気中において加熱処理して得られる触媒微粒子を、大気に曝すことなくカーボンナノチューブ成長用炭素含有ガス雰囲気中に存在させてカーボンナノチューブを成長させる工程を含むことを特徴とする。触媒微粒子は、粒径が0.4〜10nmの範囲にあるものであることが好ましい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

酸化性雰囲気中において加熱処理して得られる触媒微粒子を、大気に曝すことなくカーボンナノチューブ成長用炭素含有ガス雰囲気中に存在させてカーボンナノチューブを成長させる工程を含むことを特徴とするカーボンナノチューブの成長方法。

IPC (10件)：

C01B 31/02 ,  B01J 23/52 ,  B01J 23/50 ,  B01J 23/72 ,  B01J 23/42 ,  B01J 23/44 ,  B01J 27/224 ,  B01J 21/14 ,  B01J 21/06 ,  D01F 9/127

FI (10件)：

C01B31/02 101F ,  B01J23/52 M ,  B01J23/50 M ,  B01J23/72 M ,  B01J23/42 M ,  B01J23/44 M ,  B01J27/224 M ,  B01J21/14 M ,  B01J21/06 M ,  D01F9/127

Fターム (61件)：

4G146AA11 ,  4G146AA12 ,  4G146AB06 ,  4G146AC03B ,  4G146AC16B ,  4G146AD28 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC27 ,  4G146BC29 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC46 ,  4G146BC48 ,  4G169AA02 ,  4G169AA08 ,  4G169BB01A ,  4G169BB01B ,  4G169BB02A ,  4G169BB02B ,  4G169BB15A ,  4G169BB15B ,  4G169BC23A ,  4G169BC23B ,  4G169BC31A ,  4G169BC31B ,  4G169BC32A ,  4G169BC32B ,  4G169BC33A ,  4G169BC33B ,  4G169BC72A ,  4G169BC72B ,  4G169BC75A ,  4G169BC75B ,  4G169BD05A ,  4G169BD05B ,  4G169CB81 ,  4G169DA05 ,  4G169EA08 ,  4G169EB15Y ,  4G169EB18X ,  4G169EB19 ,  4G169FA03 ,  4G169FB02 ,  4G169FB30 ,  4L037CS03 ,  4L037FA02 ,  4L037PA02 ,  4L037PA05 ,  4L037PC05 ,  4L037UA02

引用特許：

出願人引用 (4件)

• カーボンナノチューブ、その製造方法、カーボンナノチューブデバイスおよび電気二重層キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-384198   出願人：尾浦憲治郎, 三洋電機株式会社
• 低圧-DC-熱化学蒸着法を利用したカーボンナノチューブ垂直配向蒸着方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-073546   出願人：三星エスディアイ株式会社, 李永照
• 特許3443648号公報
  
• 特公表2005-503273号公報