特許
J-GLOBAL ID：200903094492906000
カーボンナノチューブ、その製造方法、カーボンナノチューブデバイスおよび電気二重層キャパシタ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-384198
公開番号（公開出願番号）：特開2005-145743
出願日： 2003年11月13日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】 簡単なプロセスで高密度で均一に形成することができるとともに量産化および大面積化が可能なカーボンナノチューブ、その製造方法、それを用いたカーボンナノチューブデバイスおよび電気二重層キャパシタを提供することである。【解決手段】 高融点の導電性材料からなる導電性基板1上にAlを主成分とするAl層2および触媒金属からなる触媒金属層3を形成する。導電性材料としては1660°C以上の融点を有する高融点金属または炭素を用いることができる。基板100を熱CVD装置の容器内にセットし、真空中でヒータにより加熱し、所定時間保持することにより導電性基板1上に触媒微粒子5を高密度で均一に分散するように形成する。その後、基板100の温度を保持した状態で炭素を含むガスを容器内に導入し、所定時間保持することにより、炭素を含むガスを熱分解し、触媒微粒子5上にカーボンナノチューブ6を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも一面側に導電性材料からなる導電層を含む基板を用い、前記基板の前記導電層上にアルミニウムおよびカーボンナノチューブの成長を促進する作用を有する触媒金属を供給する工程と、
前記基板に熱処理を行うことにより前記基板上に触媒金属を含む微粒子を形成する工程と、
前記基板上に形成された微粒子に炭素を含むガスを作用させることにより前記基板上にカーボンナノチューブを成長させる工程とを備えたことを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
IPC (4件)：
C01B31/02
, B82B1/00
, H01G9/016
, H01G9/058
C01B31/02 101F
, B82B1/00
, H01G9/00 301A
, H01G9/00 301F
4G146AA11
, 4G146AB04
, 4G146AD23
, 4G146BA12
, 4G146BC09
, 4G146BC27
, 4G146BC33B
, 4G146BC37B
, 4G146BC38B
, 4G146DA16
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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引用文献：
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