InA1AsSb/A1Sbバリヤを備えた電子デバイスの設計および製造

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：土井健二 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-546985
公開番号（公開出願番号）：特表2001-522534
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 2001年11月13日
要約：

【要約】GaAs基板(8)と基板上に配置された基部とによって特徴づけられる電子デバイスであって、基部は、InAsチャネル層(16)と、このチャネル層の上のAlSb(18)層と、AlSbチャネル層の上に配置され、少なくともIn、AlおよびAsを含むInxAl1-xAsySb1-y層(20)と、InxAl1-xAsySb1-y層の上に配置され、これに接触するInAsキャップ層(22)と、InAsチャネル層の下に配置され、基板に接触するAlSb(14)層と、AlSb層内に配置されるp+GaSb層(12)と、InxAl1-xAsySb1-y層に接触して配置されるパッドを備えたショットキーゲート(28)と、InAsキャップ層に配置された少なくとも1つのオーム接触(24、26)と、基部を通って基板へ延在してデバイスからゲートボンディングパッドを分離して、ゲートとInAsとの間の接触を防ぐゲートエアブリッジを提供するトレンチ(30)とを具備する電子デバイスが開示される。ゲートエアブリッジ形成は、容積ベースで2分の1以上の凝縮乳酸または酢酸を含み、残りは過酸化水素と凝縮フッ化水素酸である液体エッチング剤によって達成される。エッチング剤は、InAs、InxAl1-xAsySb1-y、AlSbおよびGaSbを腐蝕するが、GaAsおよびAu系合金を腐蝕しない。

請求項（抜粋）：

半導体材料の第1の層と、半導体材料の第2の層と、半導体材料の第3の層と、前記第3の層に接触するショットキーゲートとを具備する電子デバイスであって、前記第3の層は前記第1の層より広いバンドギャップであり、前記第2の層はAlSb系材料であり、前記第1の層と前記第3の層との間に接触して配置される電子デバイス。

IPC (4件)：

H01L 29/778 , H01L 21/308 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 21/308 C , H01L 29/80 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-332137
半導体結晶積層体及びそれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-042459 出願人：株式会社日立製作所
特開昭63-144579

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