特許
J-GLOBAL ID:200903036567866840

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 則近 憲佑
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-157273
公開番号(公開出願番号):特開平9-008295
出願日: 1995年06月23日
公開日(公表日): 1997年01月10日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、半導体素子で発生したフォトンが隣接する素子に影響を与えるのを防ぎ、信頼性が向上させ、消費電力を低減し、高集積化を可能とすることを目的とする。【構成】 本発明は、半導体基板上に形成された半導体素子を具備する半導体装置において、半導体素子の周囲をとり囲むようフォトンを遮蔽する手段33を配設したことを特徴とする。
請求項(抜粋):
半導体基板上に形成された半導体素子を具備する半導体装置において、前記半導体素子の周囲をとり囲むようフォトンを遮蔽する手段を配設したことを特徴とする半導体装置。
IPC (8件):
H01L 29/78 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6件):
H01L 29/78 653 B ,  H01L 21/76 Z ,  H01L 27/08 102 E ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 V ,  H01L 29/78 371
引用特許:
審査官引用 (10件)
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