特許

J-GLOBAL ID：200903036574830621

集積回路構造の製造方法および集積回路

発明者： ロバート ツ ,  イイジマ シンペイ ,  浅野 勇 ,  クニトモ マサト ,  タマル ツヨシ ,  ウィリアム アール.マッキー
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-021287
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223865
出願日： 1998年02月02日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 先行技術の諸問題の多くを克服する高誘電率コンデンサを形成する工程を得る。【解決手段】 一つの実施例において、この発明は、誘電層24を処理する方法を提供する。最初に、誘電層が加熱されると同時に、O2 プラズマにさらされる。その後で、前記誘電層が加熱されると同時に、オゾン環境にさらされる。この方法は、コンデンサ12の誘電体24の形成に有用である。一方、このコンデンサは、DRAMメモリデバイス中で使用できる。

請求項（抜粋）：

集積回路コンデンサを形成する方法であって、記憶ノード電極を形成するステップと、前記記憶ノード電極上に誘電層を沈積するステップと、前記誘電層を沈積した後にO2 プラズマ焼きなましを遂行するステップと、前記O2 プラズマ焼きなましを遂行した後にオゾン焼きなましを遂行するステップと、前記誘電層の上に上部電極を沈積するステップを含んでなる、前記方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電子デバイス製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-143172   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 強誘電体薄膜キャパシタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-178819   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

引用文献：

審査官引用 (1件)

• UV-O3 and Dry-O2:Two-Step Annealed Chemical Vapor-Deposited Ta2O5 Films for Storage Dielectrics of 6