特許
J-GLOBAL ID：200903036590059242
AlxGayIn1-x-yN結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-161763
公開番号（公開出願番号）：特開2005-343705
出願日： 2004年05月31日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】 結晶成長速度を向上させたAlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶の製造方法、その方法により得られるAlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶基板および半導体デバイスを提供する。【解決手段】 石英反応管の内部におけるハロゲン化アルミニウムガスとアンモニアガスとを含む原料ガスの反応によって下地基板の表面上にAlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶を成長させる方法であって、AlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶の成長時に石英反応管の外部からの加熱に加えて下地基板を局所的に加熱するAlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶の製造方法と、その方法により得られるAlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶基板および半導体デバイスである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
石英反応管の内部におけるハロゲン化アルミニウムガスとアンモニアガスとを含む原料ガスの反応によって下地基板の表面上にAlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶を成長させるAlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶の製造方法であって、前記AlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶の成長時に前記石英反応管の外部からの加熱に加えて前記下地基板を局所的に加熱することを特徴とする、AlxGayIn1-x-yN(0<x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077BE11
, 4G077BE15
, 4G077DB04
, 4G077DB05
, 4G077ED06
, 4G077EG17
, 4G077HA12
, 4G077TB03
, 4G077TB04
, 4G077TC02
, 4G077TC13
, 4G077TK01
