特許
J-GLOBAL ID：200903026653595870

AlNエピタキシャル層の成長方法及び気相成長装置

発明者：
纐纈 明伯

纐纈 明伯 について

, 
熊谷 義直

熊谷 義直 について


出願人/特許権者：
農工大ティー・エル・オー株式会社

農工大ティー・エル・オー株式会社 について


代理人 (1件)： 伊藤 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-028489
公開番号（公開出願番号）：特開2005-252248
出願日： 2005年02月04日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【課題】 サファイア基板上又はSi基板上に良質のAlN結晶を高速成長させることができるAlNのエピタキシャル成長方法を提供することを目的とする。【解決手段】 第一ガス導入ポート12から、HCl+H2を導入し750°C以下でAl金属とHClを反応させAlCl3を生成する。第二ガス導入ポート14からNH3+H2を導入し混合部でNH3とAlCl3とを混合させる。混合したガスを基板部に輸送し反応させAlNを生成する。混合部は原料反応部で生成されたAlCl3の石英反応チャンバー18内での析出が起きない温度で、かつ、混合部でのAlNの析出が起きない温度範囲80°C以上750°C以下に保つ。基板結晶24は、高周波加熱によって900°Cから1700°Cに維持される。この結果、基板結晶24への途中でAlNが析出してしまうことを防止し、AlNエピタキシャル成長速度が向上する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
アルミニウムの原料と、窒素の原料と、を混合したガス中に基板結晶を配置し、前記基板結晶上にAlNを結晶成長させる方法において、 前記基板結晶の温度を、前記ガスの温度より高くすることを特徴とするAlNエピタキシャル層の成長方法。
IPC (5件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/46 ,  C30B25/14 ,  C30B29/38
FI (5件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/46 ,  C30B25/14 ,  C30B29/38 C
Fターム (55件)：
4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077DB05 ,  4G077DB11 ,  4G077DB21 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EC01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077EG22 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA05 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB05 ,  4G077TC01 ,  4G077TC06 ,  4G077TC07 ,  4G077TC13 ,  4G077TC14 ,  4G077TC17 ,  4G077TH01 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA24 ,  4K030KA25 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ05
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
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