特許
J-GLOBAL ID：200903036593038408

半導体装置及びその製造方法

発明者：
浅川 和彦

浅川 和彦 について

, 
清水 亙

清水 亙 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-031952
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077329
出願日： 2000年02月09日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 電気特性が安定した半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板10上に形成されたスピンオングラス膜18を備える。スピンオングラス膜18は、基層18aおよび表層18bからなる積層構造を有し、表層18bが基層18aに比較して緻密化されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面近傍の第1ないし第3の領域に第1ないし第3の不純物拡散領域を各々形成する工程と、前記第1の領域と前記第2の領域との間の、前記主表面近傍の第4の領域上方に第1のゲート電極を形成する工程と、前記第2の領域と前記第3の領域との間の、前記主表面近傍の第5の領域上方に第2のゲート電極を形成する工程と、前記第1及び前記2のゲート電極の側壁に保護膜を形成する工程と、前記半導体基板上全面にスピンオングラス層を形成する工程と、前記スピンオングラス層の表面部を前記スピンオングラス層の下部よりも緻密な層に変換する工程と、前記第2の領域上方に位置する前記緻密な層を第1のエッチングで除去する工程と、前記緻密な層をマスクとして前記スピンオングラス層の下部を第2のエッチングで除去し、前記第2の不純物拡散領域を露出する工程と、前記第2の不純物拡散領域上に導電材料を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (10件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (8件)：
H01L 27/10 671 Z ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/265 Y ,  H01L 21/90 P ,  H01L 27/08 102 D ,  H01L 27/10 681 B ,  H01L 29/78 301 Y
Fターム (63件)：
4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD10 ,  4M104EE02 ,  4M104EE15 ,  4M104FF06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK01 ,  5F033NN29 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ60 ,  5F033RR09 ,  5F033SS21 ,  5F033TT01 ,  5F033VV11 ,  5F033VV16 ,  5F040EH08 ,  5F040EK01 ,  5F040FA07 ,  5F040FC15 ,  5F040FC22 ,  5F040FC23 ,  5F040FC27 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F048DA27 ,  5F058AA04 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG06 ,  5F058AH02 ,  5F058BA07 ,  5F058BA09 ,  5F058BD01 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH15 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F083AD31 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083MA03 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07 ,  5F083PR23 ,  5F083PR29 ,  5F083PR36 ,  5F083ZA10 ,  5F083ZA28
引用特許：
審査官引用 (2件)

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