半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平戸哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-116815
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333388
出願日： 1993年05月19日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】外部から供給されるクロック信号により動作周波数が規制される半導体記憶装置、例えば、SDRAM(シンクロナス・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ)に関し、最高動作周波数で動作させた場合においても、最高動作周波数よりも低い周波数で動作させた場合においても、動作電流が同一又は略同一となるようにし、最高動作周波数よりも低い周波数で動作させた場合における消費電力の低減化を図る。【構成】外部から供給されるクロック信号CLKAと同一周波数、かつ、外部から供給されるクロック信号CLKAが最高動作周波数である場合におけるHレベル期間(活性レベル期間)と同一長のHレベル期間(活性レベル期間)を有する内部クロック信号CLKBを生成し、これをタイミング信号としてデータバス・アンプ等に供給する。

請求項（抜粋）：

外部から供給されるクロック信号を取込み、この外部から供給されるクロック信号と同一周波数の内部クロック信号を発生し、この内部クロック信号を所定の内部回路にタイミング信号として供給するタイミング制御回路を設けて構成される半導体記憶装置において、前記タイミング制御回路は、前記外部から供給されるクロック信号の許容周波数範囲においては、前記外部から供給されるクロック信号の周波数に関係なく、一定の活性レベル期間を有する内部クロック信号を前記所定の内部回路に供給するように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-067792
同期型半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-077237 出願人：日本電気株式会社
マイクロプロセツサと同期して動作するランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-103094 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

全件表示

前のページに戻る