特許
J-GLOBAL ID：200903036627698828

III族窒化物結晶、III族窒化物結晶基板および半導体デバイスの製造方法

発明者：
藤原 伸介

藤原 伸介 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-139585
公開番号（公開出願番号）：特開2009-286652
出願日： 2008年05月28日
公開日（公表日）： 2009年12月10日
要約：
【課題】{0001}面を除いて任意に特定される{hkil}面に対して面方位のばらつきが小さな主面を有するIII族窒化物結晶を提供する。【解決手段】(a){0001}面を除いて任意に特定される{hkil}面に対して結晶片10の主面10mの任意の点における面方位のずれが0.5°以下である複数の結晶片10を調製し、(b){hkil}面に対して複数の結晶片10の主面10mの全面10aの任意の点における面方位のずれが0.5°以下になるようにかつ結晶片10の主面10mの少なくとも一部が露出するように複数の結晶片10を配置して、(c)複数の結晶片10の主面10mの露出部分上に、第2のIII族窒化物結晶20を成長させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1のIII族窒化物結晶から複数の結晶片を切り出して、{0001}面を除いて任意に特定される結晶幾何学的な面である{hkil}面に対して各前記結晶片の主面の任意の点における面方位のずれが0.5°以下である複数の前記結晶片を調製する工程と、 前記{hkil}面に対して複数の前記結晶片の主面の全面の任意の点における面方位のずれが0.5°以下になるようにかつ各前記結晶片の主面の少なくとも一部が露出するように複数の前記結晶片を配置する工程と、 複数の前記結晶片の主面の露出部分上に、各前記結晶片の主面の露出部分上に成長する第1の結晶領域および前記第1の結晶領域が互いに接合する領域である第2の結晶領域を含んで一体化するように第2のIII族窒化物結晶を成長させる工程と、を備えるIII族窒化物結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C30B 9/00
FI (3件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C30B9/00
Fターム (12件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA12 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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