特許

J-GLOBAL ID：200903041303273011

窒化物半導体ウエハ及びその製造方法

発明者： 神原 康雄 ,  原田 孝典 ,  中西 一仁 ,  林 宏樹 ,  河野 哲也 ,  藤江 誠二 ,  八木 健太郎 ,  山本 晋作
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-109099
公開番号（公開出願番号）：特開2006-315947
出願日： 2006年04月11日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：

【課題】低い転位密度と広いウエハ面積を両立可能な窒化物半導体ウエハ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 (a)六方晶系の窒化物半導体から成ると共に、対向する2つの主面がいずれもC面から成る一次ウエハとし、(b)一次ウエハをM面に沿って切断して複数の窒化物半導体バー4を得て、(c)複数の窒化物半導体バー4を、隣り合う窒化物半導体バー4のC面同士が対向し、各窒化物半導体バー4のM面が上面となるように配列し、(d)配列された窒化物半導体バー4の上面に窒化物半導体を再成長させることにより、連続したM面を主面に有する窒化物半導体層6を形成し、窒化物半導体ウエハ8を得る。 【選択図】図4

請求項（抜粋）：

(a)六方晶系の窒化物半導体から成ると共に、対向する2つの主面がいずれもC面から成る一次ウエハを得る工程と、 (b)前記一次ウエハをM面に沿って分離して複数の窒化物半導体バーを得る工程と、 (c)前記複数の窒化物半導体バーを、隣り合う窒化物半導体バーのC面同士が対向し、各窒化物半導体バーのM面が上面となるように配列する工程と、 (d)配列された前記窒化物半導体バーの上面に窒化物半導体を再成長させることにより、連続したM面を主面に有する窒化物半導体層を形成する工程と、 を具えた窒化物半導体ウエハの製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 ,  C30B 25/18

FI (4件)：

C30B29/38 D ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610 ,  C30B25/18

Fターム (19件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK08 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F173AH22 ,  5F173AP04 ,  5F173AQ10

引用特許：

出願人引用 (4件)

• GaN系結晶成長用基板およびその用途
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-195890   出願人：三菱電線工業株式会社
• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社
• 単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-207783   出願人：住友電気工業株式会社
• ガリウム含有窒化物の単結晶の製造法及び装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-503864   出願人：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン, 日亜化学工業株式会社

審査官引用 (5件)

• 単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-207783   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開平3-075298
  
• 窒化物単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-076167   出願人：三菱化学株式会社
• III族窒化物基板の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-007185   出願人：松下電器産業株式会社
• ダイヤモンドの合成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-018790   出願人：住友電気工業株式会社