特許
J-GLOBAL ID：200903099876041199
単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-306611
公開番号（公開出願番号）：特開2007-084435
出願日： 2006年11月13日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】貫通転位密度が小さく、かつ基板表面においても転位の束が存在せず、劈開面の乱れを起こさないGaN基板の製造方法およびGaN基板を提供する。 【解決手段】基板の上にGaN単結晶を気相成長させ、気相成長でできたGaN単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。転位は成長方向に伸びるので、成長方向と平行に結晶を切ると転位延長方向と平行にスライスすることになる。スライスした基板においては、転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。さらにこれを種結晶としてGaN成長させる。表面の転位密度が低いので、2度目に成長したGaNはさらに低転位になる。これもGaN基板とすることができる。 【選択図】図10
請求項（抜粋）：
HVPE法、MOCVD法、有機金属塩化物気相成長法のいずれかの成長法で成長したGaN単結晶であって、GaN単結晶の成長における成長方向と平行な面でスライス加工することを特徴とする単結晶GaN基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077BE15
, 4G077DB04
, 4G077DB05
, 4G077DB08
, 4G077FG16
, 4G077HA12
出願人引用 (7件)
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特願平9-298300号公報
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特願平10-9008号公報
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特願平10-102546号公報
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審査官引用 (3件)
引用文献：
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