表面処理方法、および電子部品の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：横沢志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-271903
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086453
出願日： 2004年09月17日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：

【課題】半田の濡れ性の高い高半田濡れ性領域と、半田濡れ性の低い、あるいは半田が濡れない低半田濡れ性領域を効率よく形成することのできる表面処理方法、および電子部品の製造方法を提供すること。【解決手段】実装基板1の端子3を形成する際、ニッケルめっき層12の表面に金めっき層13を形成しておき、所定領域にレーザ光を照射する。その結果、レーザ光の照射領域では、金めっき層13の一部が除去されるとともに、金とニッケルとが拡散し合い、ニッケルと金との混合層15からなる低半田濡れ性領域320が形成され、レーザ光の照射されなかった領域に、金めっき層13がそのまま残る高半田濡れ性領域310、330が形成される。このようなレーザ照射を行う際、実装基板1の表面に気流を発生させて、溶融気化した異物の再付着を防止する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半田濡れ性が相違する下層側金属層と上層側金属層が積層された処理対象物表面の所定領域にレーザ光を選択的に照射して前記上層側金属層の少なくとも一部を除去することにより高半田濡れ性領域と低半田濡れ性領域を形成するレーザ照射工程を有し、当該レーザ照射工程で前記レーザ光を照射する際、前記処理対象物表面には、レーザ照射領域で溶融気化した金属あるいはその化合物が当該処理対象物表面に再付着するのを防止する障壁層を形成しておくことを特徴とする表面処理方法。

IPC (2件)：

H05K 3/34 , H01L 23/12

FI (3件)：

H05K3/34 501D , H01L23/12 Q , H01L23/12 W

Fターム (11件)：

5E319AA03 , 5E319AB05 , 5E319AC01 , 5E319AC16 , 5E319AC18 , 5E319BB01 , 5E319BB20 , 5E319CC12 , 5E319CC22 , 5E319CD06 , 5E319GG05

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-135767
特開昭63-180393
ダムバー切断方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-238074 出願人：日立建機株式会社

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