特許

J-GLOBAL ID：200903036642305271

エピタキシャル基板及びエピタキシャル基板の製造方法

発明者： 柴田 智彦 ,  田中 光浩 ,  倉岡 義孝 ,  小田 修
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 杉村 興作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-099918
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297755
出願日： 2002年04月02日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】単結晶材料からなる基材と、この基材上に形成されたAl含有III族窒化物下地膜とを具えるエピタキシャル基板上に、所定のIII族窒化物膜を形成した際の、前記III族窒化物下地膜の酸化及び表面欠陥に起因した前記III族窒化物膜の結晶品質の劣化を抑制する。【解決手段】基材1上に形成されたAl含有III族窒化物下地膜2を、所定の酸溶液中に浸漬し、そのpH及び酸化還元電位を適宜制御することによって、下地膜2表面の酸化物を除去すると同時に、所定の酸化防止膜3を形成する。目的とするIII族窒化物膜は、酸化防止膜3をエッチング除去した後、下地膜2上に形成する。

請求項（抜粋）：

単結晶材料からなる基材と、この基材上に形成された少なくともAlを含むIII族窒化物下地膜と、このIII族窒化物下地膜上に形成された酸化防止膜とを含むことを特徴とする、エピタキシャル基板。

Fターム (14件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD16 ,  5F045AF09 ,  5F045CA06 ,  5F045CA10 ,  5F045DA67 ,  5F045HA04 ,  5F045HA06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体光デバイス装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-227025   出願人：三菱化学株式会社