特許

J-GLOBAL ID：200903059210262261

半導体光デバイス装置

発明者： 下山 謙司 ,  清見 和正
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 釜田 淳爾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-227025
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043694
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 特に高出力時において信頼性の高い半導体光デバイス装置を提供すること。【解決手段】 基板、該基板上に形成された化合物半導体層を有する半導体光デバイス装置であって、前記化合物半導体層は、前記基板上に形成された第1導電型クラッド層、該第1導電型クラッド層上に形成された活性層、該活性層上に形成された第2導電型第1クラッド層、該第2導電第1クラッド層上に形成されたストライプ状の開口部を有する電流ブロック層、該開口部内部及び少なくとも開口部両脇の電流ブロック層上の一部に形成された第2導電型第2クラッド層を含み、前記化合物半導体層の表面に存在する欠陥の個数が、前記ストライプ状の開口部の直上領域では30個/cm以下であることを特徴とする半導体光デバイス装置。

請求項（抜粋）：

基板、該基板上に形成された化合物半導体層を有する半導体光デバイス装置であって、前記化合物半導体層は、前記基板上に形成された第1導電型クラッド層、該第1導電型クラッド層上に形成された活性層、該活性層上に形成された第2導電型第1クラッド層、該第2導電第1クラッド層上に形成されたストライプ状の開口部を有する電流ブロック層、該開口部内部及び少なくとも開口部両脇の電流ブロック層上の一部に形成された第2導電型第2クラッド層を含み、前記化合物半導体層の表面に存在する欠陥の個数が、前記ストライプ状の開口部の直上領域では30個/cm以下であることを特徴とする半導体光デバイス装置。

IPC (2件)：

H01S 5/223 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01S 5/223 ,  H01S 5/343

Fターム (14件)：

5F073AA09 ,  5F073AA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA86 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA23 ,  5F073DA35 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平2-241028
  
• 半導体レーザおよびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-002835   出願人：ローム株式会社
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-343427   出願人：三洋電機株式会社
• 化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-344798   出願人：三菱化学株式会社
• 半導体レーザおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-139623   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 特開平2-241028