特許

J-GLOBAL ID：200903036644492010

半導体ウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法

発明者： 桝村 寿 ,  鈴木 清 ,  工藤 秀雄 ,  深見 輝明
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-181130
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007987
出願日： 1995年06月23日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 ウェーハ裏面の低輝度化研磨処理を可能とし、センサーによるウェーハの表裏の検知が可能であって、発塵性を低下せしめることによって裏面のチッピングによる発塵を抑えてデバイスの歩留りを高めることができるようにした新規な半導体ウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法並びに従来にない裏面形状を有する新規な半導体ウェーハを提供する。【構成】半導体ウェーハ研磨用研磨剤が、シリカ含有研磨剤を主成分とし、ポリオレフィン系微粒子材料を添加してなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリカ含有研磨剤を主成分とし、ポリオレフィン系微粒子材料を添加してなることを特徴とする半導体ウェーハ研磨用研磨剤。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550

FI (4件)：

H01L 21/304 321 P ,  H01L 21/304 321 M ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体ウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-085808   出願人：株式会社日立製作所
• ウエーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-064896   出願人：信越半導体株式会社
• 非ミラー状シリコンウェハーおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-282698   出願人：内藤電誠工業株式会社
• 特開昭61-054614