積層基板の検査方法、およびこれを用いたSOIウェハ、このSOIウェハを用いた半導体集積回路装置、ならびに積層基板の検査装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-063129
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264605
出願日： 1995年03月22日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】表面層のシリコン薄膜の膜厚が1μm以下のSOIウェハの表面のパーティクルと、微小凹凸および積層膜の膜厚ばらつきを分離して検査ができる積層基板の検査技術を提供する。【構成】薄膜SOIウェハ1に対して上方の一方向から光を照射し、かつこの光の入射角度が調整可能とされる半導体レーザー2と、この照射された光による反射光の側方散乱反射光を集光レンズ3を介して検出し、かつこの検出角度が調整可能とされる光検出器4と、薄膜SOIウェハ1を駆動可能に設置するウェハテーブル5とから構成される薄膜SOIウェハ1の検査装置であって、半導体レーザー2からのレーザー光の入射角度と、光検出器4の配置角度との組み合わせによって、パーティクル、加工残渣と表面の微小凹凸が分離されて検査が行われる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板、シリコン酸化膜などの絶縁膜およびシリコン薄膜からなる積層基板の検査方法であって、前記積層基板に対して上方の一方向から光を入射し、この入射された光による反射光の前方正反射光と前方散乱反射光と側方散乱反射光のうち、側方散乱反射光を検出し、前記積層基板の表面および界面にあるパーティクル、加工残渣、微小凹凸および積層膜の膜厚ばらつきから、パーティクルと加工残渣のみを分離検出して検査することを特徴とする積層基板の検査方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 , G01N 21/88 , H01L 23/12 , H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 21/66 J , G01N 21/88 E , H01L 27/12 Z , H01L 23/12 N

引用特許：

出願人引用 (4件)

異物検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-056984 出願人：富士通株式会社
SOI基板における単結晶薄膜の膜厚測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-137718 出願人：信越半導体株式会社
特開平4-235306

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審査官引用 (10件)

特開平1-185934
特開平1-185934
特開平1-185934

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