特許

J-GLOBAL ID：200903036666471970

スイッチング可能な電磁遮蔽材

発明者： 吉村 和記 ,  佐野 三郎
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-372010
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173692
出願日： 2005年12月26日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：

【課題】スイッチングできる電磁遮蔽材を提供する。【解決手段】水素を含む雰囲気と、酸素を含む雰囲気に晒すことにより、電磁波の遮蔽状態をスイッチングすることのできる多層薄膜材料であって、(1)上記薄膜が、希土類金属、希土類金属とマグネシウムの合金、マグネシウムと遷移金属の合金、マグネシウムの中から選ばれるいずれかの金属薄膜から成るスイッチング層を有する、(2)上記薄膜の表面に触媒層が形成されている、(3)任意の構成として、上記触媒層の上に保護層が形成されている、ことを特徴とする薄膜材料、及び電磁遮蔽材。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

水素を含む雰囲気と、酸素を含む雰囲気に晒すことにより、電磁波の遮蔽状態をスイッチングすることのできる多層薄膜材料であって、(1)上記薄膜が、希土類金属、希土類金属とマグネシウムの合金、マグネシウムと遷移金属の合金、及びマグネシウムの中から選ばれるいずれかの金属薄膜から成るスイッチング層を有する、(2)上記薄膜の表面に触媒層が形成されている、(3)任意の構成として、上記触媒層の上に保護層が形成されている、ことを特徴とする薄膜材料。

IPC (2件)：

H05K 9/00 ,  B32B 15/01

FI (2件)：

H05K9/00 V ,  B32B15/01 Z

Fターム (26件)：

4F100AB01A ,  4F100AB01B ,  4F100AB09A ,  4F100AB16A ,  4F100AB24B ,  4F100AB31A ,  4F100AG00 ,  4F100AT00C ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100EH66 ,  4F100EJ58 ,  4F100JD02C ,  4F100JD05C ,  4F100JD08 ,  4F100JD08D ,  4F100JG04D ,  4F100JL08B ,  4F100JM02A ,  4F100YY00A ,  5E321BB23 ,  5E321BB53 ,  5E321GG05 ,  5E321GH01

引用特許：

出願人引用 (4件)

• スイッチング装置及びその使用
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-536323   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• 光スイッチングデバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-512393   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• 米国特許2002/0044717 A1
  
• マグネシウム薄膜を用いた調光ミラーガラス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-065004   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (2件)

• マグネシウム・ニッケル合金薄膜を用いた調光ミラーガラス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-068810   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• 電波遮蔽制御体とこれを用いてのシールド対象周波数可変の電磁波シールドシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-020014   出願人：株式会社竹中工務店