特許
J-GLOBAL ID:200903036667227518
プラズマ処理方法及び装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-201272
公開番号(公開出願番号):特開平11-045878
出願日: 1997年07月28日
公開日(公表日): 1999年02月16日
要約:
【要約】【課題】 ダストの発生が少なく、メンテナンス頻度が小さく、プラズマ処理の再現性に優れ、かつ、ヒーターにおいて大きな熱損失が生じることのないアンテナ式プラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 所定のガスを導入しつつ排気を行い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高周波電源4によりスパイラルアンテナ5に、電極用高周波電源8により電極6にそれぞれ高周波電力を供給することで、真空容器1内にプラズマを発生させ、電極6上の基板7に対してエッチング等のプラズマ処理を行うに際して、導体外皮により電磁波から遮蔽された発熱体から成る抵抗加熱ヒーター11と、誘電体9に設けられた圧着式の熱電対10が温調器12に接続され、抵抗加熱ヒーター11とスパイラルアンテナ5の間には、断熱材13が設けられ、ベルトヒーター22を備えたインナーチャンバー16が設けられていることにより、真空容器内を80°C以上に加熱する。
請求項(抜粋):
真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、高周波電力をアンテナに供給することにより、誘電体を介して真空容器内に電磁波を放射し、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極に載置された基板を処理するプラズマ処理方法において、導体外皮によって電磁波から遮蔽された発熱体から成る抵抗加熱ヒーターに電流を流すことによって、誘電体を80°C以上に加熱することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5件):
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/31
, H05H 1/46
FI (6件):
H01L 21/302 B
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, H01L 21/31 C
, H05H 1/46 B
, H01L 21/302 F
引用特許:
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