特許
J-GLOBAL ID：200903036670407322

エッチング装置

発明者：
猪股 洋介

猪股 洋介 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-428079
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191118
出願日： 2003年12月24日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】太陽電池などに用いられるシリコンなどの基板の表面に微細な凹凸を効率よく均一かつ容易に形成することができる装置を提供する。【解決手段】トレイ19の上には、開口部17aが一様に形成されるとともに、その周囲を側壁18で囲繞された開口プレート17が、シリコン基板1の表面と所定距離離間して覆蓋するように配置され、トレイ19の表面のうち、開口プレート17によって覆蓋され、かつシリコン基板1が載置されていない領域の8割以上が、シリコン基板1の主成分と同じ成分を有する材料、例えばシリコン片16aで覆われるように構成されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
トレイと、前記トレイの表面に複数枚載置された被エッチング体である基板と、その周囲を側壁で囲繞され、開口部を多数有する開口プレートと、を具備したエッチング装置であって、 前記開口プレートは、前記基板の表面と所定距離離間して覆蓋するように前記トレイ上に配置され、 前記トレイの表面は、前記開口プレートによって覆蓋され、かつ前記基板が載置されていない領域の8割以上が、前記基板の主成分と同じ成分を有する材料で覆われて成るエッチング装置。
IPC (1件)：
H01L31/04
FI (1件)：
H01L31/04 H
Fターム (7件)：
5F051AA03 ,  5F051BA16 ,  5F051CB05 ,  5F051CB20 ,  5F051CB22 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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