基板の粗面化法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-298671
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017725
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】基板、特に太陽電池に用いられる基板表面の凹凸形成を効率よく、高タクトで行う方法を提供する。【解決手段】シリコン基板の表面をドライエッチング法で粗面状にするシリコン基板の粗面化法であって、上記シリコン基板の表面を開口部4aが一様に多数形成されたプレート部材で覆蓋してドライエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

基板の表面をドライエッチング法で粗面状にする基板の粗面化法において、前記基板の表面を開口部が多数形成されたプレート部材で覆蓋してドライエッチングを行うことを特徴とする基板の粗面化法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , C23F 4/00

FI (2件)：

C23F 4/00 A , H01L 31/04 H

Fターム (18件)：

4K057DA05 , 4K057DB01 , 4K057DB06 , 4K057DD03 , 4K057DD08 , 4K057DE01 , 4K057DE06 , 4K057DM03 , 4K057DM06 , 4K057DM40 , 4K057DN03 , 5F051AA02 , 5F051AA03 , 5F051CB22 , 5F051DA04 , 5F051FA02 , 5F051GA04 , 5F051GA14

引用特許：

審査官引用 (8件)

太陽電池素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-041617 出願人：京セラ株式会社
特開昭58-032417
特開平4-132219

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