特許
J-GLOBAL ID：200903054155188845

シリコン基板の粗面化法

発明者：
猪股 洋介

猪股 洋介 について

, 
福井 健次

福井 健次 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-263023
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076404
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板、特に太陽電池に用いられるシリコン基板表面の凹凸形成を効率よく、高タクトで行う方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板の表面をドライエッチング法で粗面状にするシリコン基板の粗面化方法において、前記シリコン基板の表面にエッチング残渣を付着させながらエッチングして粗面化した後、このエッチング残渣を除去する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の表面をドライエッチング法で粗面状にするシリコン基板の粗面化法において、前記シリコン基板の表面にエッチング残渣を付着させながらエッチングして粗面化した後、このエッチング残渣を除去するシリコン基板の粗面化法。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  H01L 21/3065
FI (2件)：
H01L 31/04 H ,  H01L 21/302 J
Fターム (15件)：
5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004EA40 ,  5F004FA07 ,  5F051AA02 ,  5F051CB22 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14
引用特許：
審査官引用 (6件)
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