特許
J-GLOBAL ID：200903036726935165
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長南 満輝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-043737
公開番号（公開出願番号）：特開2006-229111
出願日： 2005年02月21日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【課題】 電解メッキ以外の方法で形成する上層配線を有する半導体装置の製造に際し、上層配線をその下側に上層絶縁膜を介して設けられたCSPと呼ばれる半導体構成体の柱状電極に確実に接続する。【解決手段】 半導体構成体2およびその周囲に設けられた絶縁層14上に、突起電極17を有する上層配線形成用金属板16aの下面に上層絶縁膜形成用シート15aがその下面側に突起電極17が突出されるように形成されたものを配置し、一対の加熱加圧板を用いて上下から加熱加圧することにより、上層絶縁膜形成用シート15aの下面側に突出された突起電極17を半導体構成体2の柱状電極12の上面中央部に押し付けてつぶし、且つ、半導体構成体2および絶縁層14上に上層絶縁膜を形成する。この場合、上層絶縁膜形成用シート15aの下面側に予め突出された突起電極17を半導体構成体2の柱状電極12の上面中央部に確実に接続することができる。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
複数の外部接続用電極を有する半導体構成体を準備する工程と、
配線形成用金属板の一面に先細り状の複数の突起電極および絶縁膜形成用層が形成され、且つ、前記各突起電極が前記絶縁膜形成用層を突き抜けてその先端が前記絶縁膜形成用層から突出されたものを準備する工程と、
前記絶縁膜形成用層から突出された前記各突起電極を前記半導体構成体の各外部接続用電極上に対応させて配置する工程と、
加熱加圧により、前記絶縁膜形成用層から突出された前記突起電極を前記半導体構成体の外部接続用電極に接続し、且つ、前記絶縁膜形成用層を前記半導体構成体に固着して絶縁膜を形成する工程と、
前記配線形成用金属板をパターニングして配線を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L23/12 K
, H01L23/12 501P
