特許
J-GLOBAL ID：200903005654181125
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
花輪 義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-142830
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349361
出願日： 2003年05月21日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
【課題】上層再配線を有する半導体装置の製造に際し、上層再配線を電解メッキ以外の方法で形成して、工程数を低減する。【解決手段】ベース板1の上面中央部にはCSPと呼ばれる半導体構成体2が接着層3を介して接着されている。ベース板1の上面には樹脂からなる矩形枠状の絶縁層14がその上面が半導体構成体2の上面とほぼ面一となるように設けられている。半導体構成体2および絶縁層14の上面にはプリプレグ材からなる絶縁膜15がその上面を平坦とされて設けられている。絶縁膜15の上面の所定の箇所には、金属板をパターニングしてなる上層再配線16が設けられている。この場合、上層再配線16の下面に一体的に形成された裁頭円錐形状の突起電極17は、絶縁膜15に食い込まされて柱状電極12の上面中央部に接続されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する少なくとも1つの半導体構成体と、前記半導体構成体を覆う絶縁膜と、突起電極を有し、前記絶縁膜上に形成された再配線とを具備してなり、前記再配線の突起電極が前記外部接続用電極に対応する前記絶縁層の部分に食い込んで前記外部接続用電極に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L23/12
, H01L21/3205
, H01L21/56
H01L23/12 501P
, H01L21/56 R
, H01L21/88 T
5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH18
, 5F033MM05
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033RR04
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033VV07
, 5F061AA01
, 5F061BA07
, 5F061CA22
, 5F061CB13
