特許
J-GLOBAL ID:200903098602537345
ウェハレベルパッケージおよびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
金山 聡
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-358887
公開番号(公開出願番号):特開2004-193297
出願日: 2002年12月11日
公開日(公表日): 2004年07月08日
要約:
【課題】従来のメタルポストを設けるウェハレベルパッケージと異なるウェハレベルパッケージ、および製造工程が短く、生産性が高いウェハレベルパッケージの製造方法を提供する。【解決手段】ウェハ上に接続端子となる複数のボンディングパッド3が設けられた複数の半導体チップ2と、前記半導体チップ2上に積層された熱硬化したプリプレグ4を介して前記ボンディングパッド3と接続する導電性バンプ5と、前記導電性バンプ5の直上に設けられた銅箔8に形成された半田ボール6とを含むことを特徴とするウェハレベルパッケージ。【選択図】図3
請求項(抜粋):
ウェハ上に接続端子となる複数のボンディングパッドが設けられた複数の半導体チップと、
前記半導体チップ上に積層された熱硬化したプリプレグを介して前記ボンディングパッドと接続する導電性バンプと、
前記導電性バンプの直上に設けられた導電性金属箔に形成された半田ボールとを含むことを特徴とするウェハレベルパッケージ。
IPC (2件):
FI (5件):
H01L23/12 501P
, H01L21/60 311Q
, H01L21/92 602G
, H01L21/92 602L
, H01L21/92 604A
Fターム (2件):
引用特許:
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