特許
J-GLOBAL ID：200903036759783700
薄膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶山 佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-156045
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349747
出願日： 1993年06月02日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 可燃性および/または爆発性を有する原料を使用することなく、高アスペクト比の配線パターンに良好なステップカバレージのシリコン酸化膜をプラズマCVD装置で形成する方法を提供する。【構成】 プラズマCVD法において、液体のテトラエチルオルソシリケートおよび液体の過酸化水素を気化させ、気体状のテトラエチルオルソシリケートおよび気体状の過酸化水素の混合ガスとして反応炉に供給し、該反応炉内のウエハ表面にシリコン酸化膜を形成させる。
請求項（抜粋）：
プラズマCVD法において、液体のテトラエチルオルソシリケートおよび液体の過酸化水素を気化させ、気体状のテトラエチルオルソシリケートおよび気体状の過酸化水素の混合ガスとして反応炉に供給し、該反応炉内のウエハ表面にシリコン酸化膜を形成させることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/40
, C23C 16/50
