特許
J-GLOBAL ID：200903036764827740

ホスホシリケートゲル、プロトン伝導性材料およびその製造方法

発明者：
南 努

南 努 について

, 
辰巳砂 昌弘

辰巳砂 昌弘 について

, 
忠永 清治

忠永 清治 について

, 
松田 厚範

松田 厚範 について


出願人/特許権者：
南 努

南 努 について

, 
ジェイエスアール株式会社

ジェイエスアール株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-329216
公開番号（公開出願番号）：特開2003-137527
出願日： 2001年10月26日
公開日（公表日）： 2003年05月14日
要約：
【要約】【課題】プロトン伝導性に優れ、高温または高湿度条件下でもプロトン伝導性の低下が少ないプロトン伝導材料、プロトン伝導性膜およびその製造方法を提供すること。【解決手段】ホスホシリケートゲルは、アルミニウム化合物および/またはホウ素化合物が縮合されているか、または酸性縮合触媒を含む水と、テトラアルコキシシランおよびアルキルトリアルコキシシランを含むシラン化合物との接触物に、リン酸を添加し混合してゾルとし、得られたゾルをゲル化させた後熱処理して得られたものである。プロトン伝導性材料は、上記ホスホシリケートゲルからなる。ホスホシリケートゲルの製造方法は、酸性縮合触媒を含む水とテトラアルコキシシランとの接触物に、アルミニウム化合物および/またはホウ素化合物と、リン酸とを添加し混合してゾルとし、得られたゾルをゲル化させた後熱処理してホスホシリケートゲルを得る。
請求項（抜粋）：
アルミニウム化合物および/またはホウ素化合物が縮合されていることを特徴とするホスホシリケートゲル。
IPC (7件)：
C01B 33/12 ,  C08G 79/08 ,  C08G 79/10 ,  H01B 1/06 ,  C08G 77/02 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/10
FI (8件)：
C01B 33/12 A ,  C08G 79/08 ,  C08G 79/10 ,  H01B 1/06 A ,  C08G 77/02 ,  H01M 8/02 M ,  H01M 8/02 P ,  H01M 8/10
Fターム (32件)：
4G072AA38 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ17 ,  4G072JJ34 ,  4G072MM36 ,  4G072PP01 ,  4G072PP03 ,  4G072UU30 ,  4J030CC06 ,  4J030CC10 ,  4J030CC16 ,  4J030CD11 ,  4J030CF02 ,  4J030CF09 ,  4J030CG02 ,  4J035AA02 ,  4J035AB03 ,  4J035AB06 ,  4J035AB07 ,  4J035LB20 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5G301CE02 ,  5G301CE10 ,  5H026AA06 ,  5H026BB01 ,  5H026BB08 ,  5H026CX05 ,  5H026EE11 ,  5H026EE15 ,  5H026EE17 ,  5H026HH08
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM