特許
J-GLOBAL ID：200903036784009963
薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-083626
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284188
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 TFTの能動層の厚みを所望とする電界移動度が得られる厚みとすることにより、異なる特性を要求されるTFTを同一基板上に実現することができるとともに、開口率の高いTFT、その製造方法及び表示装置を提供する。【解決手段】 同一基板1上に表示画素を駆動する表示画素部のTFTと、表示画素の周辺に表示画素部のTFTを駆動する周辺ドライバ部のTFTとを形成し、その周辺ドライバ部のTFTの能動層厚みをエッチングにより表示画素部のTFTの能動層厚みよりも薄くする。
請求項（抜粋）：
同一基板上に形成してなる複数の薄膜トランジスタであって、該複数の薄膜トランジスタは、所定の厚みを有する能動層を備えた薄膜トランジスタと、前記所定の厚みと異なる厚みを有する能動層を備えた薄膜トランジスタから成っていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, H01L 21/336
H01L 29/78 612 B
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 618 D
, H01L 29/78 627 G
