特許

J-GLOBAL ID：200903036805633360

薄膜デバイスの転写・製造方法

発明者： 井上 聡
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-375812
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189460
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【解決課題】 従来の2度転写技術を利用した薄膜デバイスの転写・製造方法において、上記課題を解決するために、一回目の転写を行う際、被転写層を元基板から容易に剥離又は分離することができる薄膜デバイスの転写・分離技術を提供する。【解決手段】 元基板上に形成された被転写層を第1の転写基板に転写し、さらに、当該被転写層を第2の転写基板に転写してなる薄膜デバイスの転写方法であって、前記第1の転写基板を前記第2の転写基板より硬いものから選択してなる。

請求項（抜粋）：

元基板上に形成された被転写層を第1の転写基板に転写し、さらに、当該被転写層を第2の転写基板に転写してなる薄膜デバイスの転写方法において、前記第1の転写基板を前記第2の転写基板より硬いものから選択してなる薄膜デバイスの転写方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B ,  H01L 29/78 627 D ,  G02F 1/136 500

Fターム (54件)：

2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA43 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB38 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA22 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA31 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD07 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE09 ,  5F110EE41 ,  5F110FF02 ,  5F110FF21 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110NN02 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 柔軟な構造を有する半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-021421   出願人：日本電信電話株式会社
• 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-193080   出願人：セイコーエプソン株式会社