特許
J-GLOBAL ID：200903093661688088
薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-193080
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026733
出願日： 1997年07月03日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 薄膜デバイスの製造時に使用する基板と、例えば製品の実使用時に使用する基板とを、独立に自由に選択でき、しかも薄膜デバイスの製造時の積層順序を維持したまま、実使用時の基板に薄膜デバイスを転写することを可能とする新規な技術を提供すること【解決手段】 信頼性が高く、かつレーザー光が透過可能な基板(100)上にアモルファスシリコンなどの第1分離層(120)を設けておき、その基板上にTFT等の薄膜デバイス(140)を形成する。さらに、薄膜デバイス(140)上に熱溶融性接着層などの第2分離層(160)を形成し、その上に一次転写体(180)形成する。例えば光照射で第1分離層の結合力を弱めて基板を除去することで、薄膜デバイスが一次転写体に一次転写される。さらに、露出した薄膜デバイスの下面に接着層(190)を介して二次転写体(200)を接合する。そして、第2分離層を例えば熱溶融させて結合力を弱め、一次転写体を除去する。これにより、薄膜デバイスは二次転写体に二次転写される。
請求項（抜粋）：
基板上に第1分離層を形成する第1工程と、前記第1分離層上に薄膜デバイスを含む被転写層を形成する第2工程と、前記被転写層上に第2分離層を形成する第3工程と、前記第2分離層上に一次転写体を接合する第4工程と、前記第1分離層を境にして、前記被転写層より前記基板を除去する第5工程と、前記被転写層の下面に二次転写体を接合する第6工程と、前記第2分離層を境にして、前記被転写層より前記一次転写体を除去する第7工程と、を有し、前記薄膜デバイスを含む前記被転写層を二次転写体に転写することを特徴とする薄膜デバイスの転写方法。
IPC (4件)：
H01L 27/12
, G02F 1/136 500
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 27/12 B
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 626 C
, H01L 29/78 626 Z
, H01L 29/78 627 D
審査官引用 (10件)
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特表平6-504139
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半導体基体とその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-264386
出願人：キヤノン株式会社
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半導体板形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-010980
出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
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引用文献：
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