特許
J-GLOBAL ID:200903036810318988

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-299505
公開番号(公開出願番号):特開2004-134671
出願日: 2002年10月11日
公開日(公表日): 2004年04月30日
要約:
【課題】被処理物に対するアークの発生を抑えて被処理物の損傷を防止することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】誘電体1の表面に設けた電極2と、誘電体1を挟んで前記電極2と対向配置された他の電極3と、電極2、3間に電圧を印加することにより誘電体1の表面に沿面放電を発生させるための電源4とを備える。沿面放電が発生する箇所に対応する誘電体1の表面を放電面5として形成すると共に放電面5に対して略垂直方向にプラズマ生成用ガスを吹き出すためのガス吹き出し口6を放電面5に開口させて誘電体1に形成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
誘電体の表面に設けた電極と、誘電体を挟んで前記電極と対向配置された他の電極と、電極間に電圧を印加することにより誘電体の表面に沿面放電を発生させるための電源とを備え、沿面放電が発生する箇所に対応する誘電体の表面を放電面として形成すると共に放電面に対して略垂直方向にプラズマ生成用ガスを吹き出すためのガス吹き出し口を放電面に開口させて誘電体に形成して成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件):
H01L21/304 ,  B08B7/00 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/24
FI (4件):
H01L21/304 645C ,  B08B7/00 ,  H05H1/24 ,  H01L21/302 101E
Fターム (28件):
2H088FA17 ,  2H088FA21 ,  2H088FA24 ,  2H088FA30 ,  2H088MA20 ,  3B116AA02 ,  3B116AA03 ,  3B116AA08 ,  3B116AB01 ,  3B116AB02 ,  3B116BC00 ,  3B116BC01 ,  5F004AA06 ,  5F004AA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA18 ,  5F004DA21 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB23
引用特許:
審査官引用 (4件)
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