特許
J-GLOBAL ID：200903036837111641

薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、および表示装置

発明者：
佐藤 歩

佐藤 歩 について

, 
荒井 俊明

荒井 俊明 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-263692
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085091
出願日： 2006年09月28日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：
【課題】トランジスタ特性の経時変化が小さくかつキャリア移動度が高速でありながらも、リーク電流の発生を小さく抑えた薄膜トランジスタを、工程を追加することなく得ることが可能な製造方法を提供する。【解決手段】基板1上のゲート電極2を覆う状態で、ゲート絶縁膜3および第1半導体膜4を成膜し、ゲート電極2の中央部上に光透過性の絶縁性パターン5を形成し、さらに第2半導体膜6で覆う。絶縁性パターン5をストッパとした第2半導体膜6のパターンエッチングにより、第2半導体膜6を絶縁性パターン5の中央部上で分離したソース/ドレイン領域6s,6dを形成する。ソース/ドレイン領域6s,6dおよび絶縁性パターン5上からレーサ光Lhを照射することにより、ソース/ドレイン領域6s,6dを結晶化すると共に、絶縁性パターンのみが積層された部分の下層で結晶性が高く、ソース/ドレイン領域6s,6dと絶縁性パターン5との両方が積層された部分の下層で結晶性が低くなるように、第1半導体膜4を結晶化する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上のゲート電極を覆う状態で、ゲート絶縁膜および第1半導体膜をこの順で成膜する工程と、 前記ゲート電極の中央部に重なる前記第1半導体膜上に、光透過性の絶縁性パターンを形成する工程と、 前記絶縁性パターンを覆う状態で前記第1半導体膜上に第2半導体膜を成膜する工程と、 前記絶縁性パターンをストッパとした前記第2半導体膜のパターンエッチングにより、当該第2半導体膜を前記絶縁性パターンの中央部上で分離したソース/ドレイン領域を形成する工程と、 前記ソース/ドレイン領域および絶縁性パターン上からレーザ光を照射することにより、前記ソース/ドレイン領域を結晶化すると共に、当該絶縁性パターンのみが積層された部分の下層における結晶性が当該ソース/ドレイン領域と絶縁性パターンとの両方が積層された部分の下層における結晶性よりも高くなるように前記第1半導体膜を結晶化する工程とを行う ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28
FI (7件)：
H01L29/78 627G ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616S ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 A
Fターム (77件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC33 ,  3K107EE04 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104DD72 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF17 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG60 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN13 ,  5F110NN14 ,  5F110NN15 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN71 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP11 ,  5F110PP27 ,  5F152AA08 ,  5F152BB03 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD17 ,  5F152CE05 ,  5F152CE24 ,  5F152CE26 ,  5F152CE28 ,  5F152CE32 ,  5F152CF02 ,  5F152CF13 ,  5F152CF14 ,  5F152CF15 ,  5F152FF03 ,  5F152FF09 ,  5F152FF41 ,  5F152FG01 ,  5F152FG03 ,  5F152FH02
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

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