半導体光変調器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-039868
公開番号（公開出願番号）：特開2003-241152
出願日： 2002年02月18日
公開日（公表日）： 2003年08月27日
要約：

【要約】【課題】キャリアのパイルアップが抑制されることにより、応答速度が向上した半導体光変調器を提供する。【解決手段】 MQW吸収層3とp-InPクラッド層4との間に、バンドギャップエネルギがMQW吸収層3より大きくp-InPクラッド層4より小さいバンド不連続緩和層6aを設けるとともに、MQW吸収層3とn-InPクラッド層5との間に、バンドギャップエネルギがMQW吸収層3より大きくn-InPクラッド層5より小さいバンド不連続緩和層6bを設ける。

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板と、前記半絶縁性基板の上に形成された第1導電型クラッド層と、前記半絶縁性基板の上に前記第1導電型クラッド層と同じ高さ位置に所定の間隔をおいて並んで形成された、前記第1導電型クラッド層とは異なる導電型の第2導電型クラッド層と、前記第1導電型クラッド層と前記第2導電型クラッド層との間に設けられた活性層と、前記活性層と前記第1導電型クラッド層との間に、バンドギャップエネルギが、前記活性層より大きく、かつ、前記第1導電型クラッド層より小さいバンド不連続緩和層とを備えた、半導体光変調器。

IPC (2件)：

G02F 1/025 , G02F 1/017 503

FI (2件)：

G02F 1/025 , G02F 1/017 503

Fターム (9件)：

2H079AA02 , 2H079AA13 , 2H079BA01 , 2H079CA04 , 2H079DA16 , 2H079EA07 , 2H079EA08 , 2H079EB04 , 2H079HA15

引用特許：

審査官引用 (6件)

導波形多重量子井戸光制御素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-048047 出願人：日本電信電話株式会社
多重量子井戸構造とこれを有する光半導体装置と光変調器
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-304590 出願人：日本電気株式会社
長波長半導体レーザおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-058282 出願人：日本電気株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

1996年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会, 1996, C-308
1996年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会, 1996, C-308

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