特許

J-GLOBAL ID：200903053838778382

半導体の製造方法及び半導体発光素子

発明者： 石橋 明彦 ,  伴 雄三郎 ,  原 義博 ,  上村 信行 ,  粂 雅博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-143868
公開番号（公開出願番号）：特開平10-075018
出願日： 1997年06月02日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 高品質で且つ電気的特性及び光学的特性の優れた窒化ガリウム系半導体を製造できるようにする。【解決手段】 まず、バッファードフッ酸にSiCよりなる半導体基板11を10分間浸して、該半導体基板11の表面の酸化膜をエッチング除去する。その後、MOVPE法を用いて、温度が1090°Cで半導体基板11上に、TMAを10μモル/分、NH3 を2.5L/分及びキャリア用水素を2L/分の割合で供給することにより、半導体基板11の主面に単結晶のAlNよりなり、厚さが15nmのバッファ層12を成長させる。次に、温度を800°Cに下げ、TMAを0.2μモル/分、TMGを2μモル/分、TMIを20μモル/分及びNH3 を5L/分の割合で供給することにより、バッファ層12の上にAlGaInNよりなる単結晶層13を成長させる。

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素よりなる半導体層の上にAlNよりなるバッファ層を10nm以上且つ25nm以下の厚さに成長させるバッファ層成長工程と、前記バッファ層の上にAlx Ga1-x-y Iny N(但し、xは0≦x≦1の実数であり、yは0≦y≦1の実数であり、x+y≦1の実数である。)よりなる単結晶層を成長させる単結晶層成長工程とを備えていることを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (5件)：

H01S 3/18 ,  C23C 16/18 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01S 3/18 ,  C23C 16/18 ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• p型GaN系半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162473   出願人：三菱電線工業株式会社
• 化合物半導体装置及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-173602   出願人：ソニー株式会社
• 半導体薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-190467   出願人：松下電器産業株式会社