特許
J-GLOBAL ID：200903036845749663
プラズマエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-064265
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273093
出願日： 1994年04月01日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 MIS型半導体装置の微細なゲート電極を単極式静電チャックを用いつつ、Br系等のガスによりプラズマエッチングする場合において、下地ゲート絶縁膜のダメージを防止するとともに、エッチング終了後の希フッ酸洗浄におけるゲート絶縁膜の増速エッチングを防止する。【構成】 エッチング終了後の被エッチング基板の除電ステップにXeのプラズマ放電を用いる。またオーバーエッチングへの切り替えのタイミングを下地ゲート絶縁膜が露出する前に設定する。【効果】 Xeのプラズマ発光の主スペクトルラインは、従来除電ガスとして用いてきたHeのそれより長波長側にあり、フォトンエネルギが小さい。このためVUV光照射によるダメージが低減される。またゲート絶縁膜露出前に低イオンエネルギの条件に切り替えるので、ゲート絶縁膜のイオンダメージを防止できる。
請求項（抜粋）：
単極式静電チャックにより被エッチング基板を基板ステージに静電吸着しつつ、下地絶縁膜上のSi系材料層をパターニングするプラズマエッチング方法において、パターニング終了後の該被エッチング基板の除電ステップは、除電ガスのプラズマ発光の主スペクトルラインのフォトンエネルギが、Heのプラズマ発光の主スペクトルラインのフォトンエネルギより小さな除電ガスのプラズマ放電によることを特徴とする、プラズマエッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/302
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/302 N
, H01L 21/302 Z
, H01L 21/302 E
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 P
