二次元複画素フラッシュフィールドを用いるラスタ形成、電子ビーム露光方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-592854
公開番号（公開出願番号）：特表2002-534794
出願日： 1999年09月21日
公開日（公表日）： 2002年10月15日
要約：

【要約】ラスタスキャンで可変形に表面露光するリソグラフィ用電子ビームカラム。荷電粒子ビームを発生する電子源(1204)、トランスファレンズ(1206)、上部アパーチャ(1210)、上部偏向器(1212)、下部アパーチャ(1214)、下部偏向器(1216)、磁気偏向器(1218)及びビーム対物レンズ(1220)を含む。ビームは上部アパーチャにより正方形され、上部偏向器により方向が変えられ、下部アパーチャに画成されるアパーチャを通り抜け、所望のビームが形成される。下部アパーチャは正方形の隅部に配置されたL字状アパーチャを画成し、上部及び下部のアパーチャの組合せはパターンの水平垂直エッジと同様に内部及び外部入射を鮮明にする。表面のどの位置でも1つの同一平面のみが露光されることが必要になる。下部偏向器は上部偏向器による全ての方向変化の逆方向スキャンを加え、ラスタスキャンの磁気コイルによるビームの移動の影響を弱める。逆行スキャンにより意図されたターゲットエリアへの露光が確実になる。

請求項（抜粋）：

可変成形ビームを表面に描画する荷電粒子ビームカラムにおいて、荷電粒子ビームソースと、前記ソースの下流に位置する伝達レンズと、前記ビームと同軸であり、前記ソースの下流に位置し、開口部を画成する第1アパーチャ部材と、前記ビームと同軸であり、前記第1アパーチャ部材の下流に位置し、電界を発生する第1偏向器と、前記ビームと同軸であり、前記第1偏向器の下流に位置し、少なくとも1つの開口部を画成する第2アパーチャ部材であって、前記電界はビームを前記少なくとも1つの開口部に方向づけ、これにより前記ビームを可変成形するアパーチャ部材と、前記ビームと同軸であり、前記第2アパーチャ部材の下流に位置し、第2電界を発生する第2偏向器と、前記第2偏向器の下流に位置し、これにより前記ビームをラスタスキャンする複数の磁気コイル偏向器と、での可変成形ビームの最終サイズを制御する対物レンズと、を備える荷電粒子ビームカラム。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 504 , H01J 37/305

FI (4件)：

G03F 7/20 504 , H01J 37/305 B , H01L 21/30 541 Q , H01L 21/30 541 M

Fターム (21件)：

2H097CA16 , 2H097GA00 , 2H097LA10 , 5C034BB01 , 5C034BB02 , 5C034BB04 , 5C034BB05 , 5C034BB10 , 5F056AA04 , 5F056AA12 , 5F056AA16 , 5F056CA05 , 5F056CA12 , 5F056CA14 , 5F056CA28 , 5F056CA30 , 5F056CB05 , 5F056CD20 , 5F056EA03 , 5F056EA04 , 5F056EA06

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭64-089433
露光用マスク作製装置における走査用データ作成装置及び走査用データの作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-188143 出願人：ソニー株式会社
荷電ビーム描画装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-073888 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る