特許
J-GLOBAL ID：200903036891214960
センサ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-136757
公開番号（公開出願番号）：特開2007-309694
出願日： 2006年05月16日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：
【課題】応力バランスを維持しつつ、各磁気抵抗素子における電気抵抗値の変化のばらつきを低減することのできるセンサ装置を提供すること。【解決手段】基板10上に、絶縁膜20を介して磁気抵抗素子31〜38を2つのブリッジ回路を構成するかたちで形成した。この磁気抵抗素子31〜38を、さらにその各々が中心点CPを中心にして点対称になるかたちで配置する。各磁気抵抗素子31〜38に接続される第1〜第3ボンディングパッドP1〜P3(開口部H1〜H3)を、左右方向及び上下方向の中心線C1,C2及び対角線C3,C4(全ての中心線)を対称軸として線対称に形成した。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に設けられた複数のセンサエレメントと、前記基板上面を覆う保護膜と、前記保護膜の下層に形成された金属配線と、前記保護膜に形成される第1開口部により前記金属配線が露出されて形成されるボンディングパッドとを備え、物理変化に応じて複数のセンサエレメントの各々の電気抵抗値が変化することに基づいて物理変化を検出するセンサ装置において、
前記基板の全ての中心線を対称軸として、その全ての対称軸に対して前記第1開口部と線対称となる第2開口部が前記保護膜に形成されてなることを特徴とするセンサ装置。
IPC (3件)：
G01R 33/09
, G01D 5/18
, H01L 43/08
G01R33/06 R
, G01D5/18 N
, H01L43/08 P
2F077AA46
, 2F077AA47
, 2F077CC02
, 2F077JJ01
, 2F077JJ10
, 2F077PP15
, 2F077TT13
, 2F077TT16
, 2G017AA01
, 2G017AB07
, 2G017AD54
, 2G017BA05
, 5F092AA14
, 5F092AB01
, 5F092AC04
, 5F092AC05
, 5F092BB04
, 5F092BB42
, 5F092BB46
, 5F092BC42
, 5F092EA01
