特許
J-GLOBAL ID：200903036908495799
貼り合わせ基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-074513
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231506
出願日： 2008年03月21日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：
【課題】シリコン薄膜上の素子等からの排熱の問題を解決でき、また、シリコンウェーハと熱伝導率は高いが反りの大きいウェーハ、例えば炭化ケイ素ウェーハ等とを貼り合わせたとしても貼り合わせ不良の発生を抑制できる貼り合わせ基板の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも、シリコンウェーハと、ハンドルウェーハを準備する工程と、シリコンウェーハとハンドルウェーハの少なくとも一方の貼り合わせ面に、表面活性化処理を行う工程と、ハンドルウェーハを静電チャックに吸着させる工程と、シリコンウェーハとハンドルウェーハとを、該ハンドルウェーハを静電チャックに吸着させたまま貼り合わせる工程と、貼り合わせたウェーハを静電チャックに吸着させたまま熱処理を行う工程と、熱処理したウェーハを静電チャックより脱着させる工程と、脱着させたウェーハのシリコンウェーハを薄膜化する工程とを有することを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
貼り合わせ基板の製造方法であって、
少なくとも、
シリコンウェーハと、ハンドルウェーハを準備する工程と、
前記シリコンウェーハと前記ハンドルウェーハの少なくとも一方の貼り合わせ面に、表面活性化処理を行う工程と、
前記ハンドルウェーハを静電チャックに吸着させる工程と、
前記シリコンウェーハと前記ハンドルウェーハとを、該ハンドルウェーハを前記静電チャックに吸着させたまま貼り合わせる工程と、
前記貼り合わせたウェーハを前記静電チャックに吸着させたまま熱処理を行う工程と、
前記熱処理したウェーハを前記静電チャックより脱着させる工程と、
前記脱着させたウェーハの前記シリコンウェーハを薄膜化する工程とを有することを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/12 B
, H01L21/02 B
