半導体装置製造用ウェーハ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志波邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-035509
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223870
出願日： 1997年02月04日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】発熱の問題や信号伝播速度の遅れを解決し、高速化と高集積化を同時に図ることができる半導体装置製造用ウェーハを提供する。【解決手段】半導体シリコンより熱伝導率が大きな高電気抵抗率基板10に、シリコンウェーハ11を貼り合わせた半導体装置製造用ウェーハ。

請求項（抜粋）：

半導体シリコンより熱伝導率が大きな高電気抵抗率基板上に半導体シリコン層が形成された半導体装置製造用ウェーハ。

IPC (2件)：

H01L 27/12 , H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 27/12 B , H01L 21/02 B

引用特許：

審査官引用 (7件)

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