リセスチャンネル構造を有する半導体素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-318515
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316347
出願日： 1995年11月14日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【課題】一定のチャンネル長さを保持できるフラッシュEEPROMセル及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のリセスチャンネル構造を有する半導体素子は、チャンネルをリセス形態に形成して、そのリセスの側面の位置にソース/ドレイン領域を形成させた。

請求項（抜粋）：

チャンネル領域を有する基板と、チャンネル領域より上部に位置し、基板のチャンネル領域を除いた部分に形成された半導体領域と、チャンネル領域の表面とソース/ドレイン領域の側面に形成されたゲート絶縁膜と、チャンネル領域の上部のゲート絶縁膜上に形成された第1ゲートと、第1ゲート上に形成された誘電体膜と、誘電体膜上に形成された第2ゲートと、を含むことを特徴とするリセスチャンネル構造を有する半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-118973
特開昭48-054876
特開平2-252269

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